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          介質(zhì)損耗的影響因素有哪些?

          更新時(shí)間:2022-10-21      點(diǎn)擊次數(shù):8448

          介質(zhì)損耗的影響因素有哪些?

          1、頻率的影響:

          1)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率很低,即ω→0時(shí),介質(zhì)的各種極化都能跟上外加電場(chǎng)的變化,此時(shí)不存在極化損耗,介電常數(shù)達(dá)最大值。

          介電損耗主要由電導(dǎo)損耗引起,PW和頻率無(wú)關(guān)。tgδ=σ/ωε,則當(dāng)ω→0時(shí),tgδ→∞。隨著ω的升高,tgδ減小。

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          2)當(dāng)外加電場(chǎng)頻率逐漸升高時(shí),松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場(chǎng)的變化,松弛極化對(duì)介電常數(shù)的貢獻(xiàn)逐漸減小,因而εr隨ω升高而減少。

          在這一頻率范圍內(nèi),由于ωτ<<1,故tgδ隨ω升高而增大,同時(shí)Pw也增大。

          3)當(dāng)ω很高時(shí),εr→ε∞,介電常數(shù)僅由位移極化決定,εr趨于最小值。此時(shí)由于ωτ>>1,此時(shí)tgδ隨ω升高而減小。ω→∞時(shí),tgδ→0。

          2.溫度的影響

          溫度對(duì)松弛極化產(chǎn)生影響,因而P,ε和tgδ與溫度關(guān)系很大。松弛極化隨溫度升高而增加,離子間易發(fā)生移動(dòng),松弛時(shí)間常數(shù)τ減小。

          (1)當(dāng)溫度很低時(shí),τ較大,由德拜關(guān)系式可知,εr較小,tgδ也較小

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          在此溫度范圍內(nèi),隨溫度上升,τ減小,εr、tgδ和PW上升。

          (2)當(dāng)溫度較高時(shí),大于Tm,τ較小,此時(shí)

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          在此溫度范圍內(nèi),隨溫度上升,τ減小,tgδ減小。PW主要決定于極化過(guò)程, PW也隨溫度上升而減小。

          (3)當(dāng)溫度繼續(xù)升高,達(dá)到很大值時(shí),離子熱運(yùn)動(dòng)能量很大,離子在電場(chǎng)作用下的定向遷移受到熱運(yùn)動(dòng)的阻礙,因而極化減弱,εr下降。

          電導(dǎo)損耗劇烈上升,tgδ也隨溫度上升急劇上升。

          3.濕度的影響

          介質(zhì)吸潮后,介電常數(shù)會(huì)增加,但比電導(dǎo)的增加要慢,由于電導(dǎo)損耗增大以及松馳極化損耗增加,而使tgδ增大。

          對(duì)于極性電介質(zhì)或多孔材料來(lái)說(shuō),這種影響特別突出,如,紙內(nèi)水分含量從4%增加到10%時(shí),其tgδ可增加100倍。 

          四、介電損耗的應(yīng)用

          當(dāng)絕緣材料用于高電場(chǎng)強(qiáng)度或高頻的場(chǎng)合,應(yīng)盡量采用介質(zhì)損耗因數(shù)(即電介質(zhì)損耗角正切tgδ,它是電介質(zhì)損耗與該電介質(zhì)無(wú)功功率之比)較低的材料。

          電介質(zhì)損耗用作一種電加熱手段,即利用高頻電場(chǎng)(一般為0.3~300兆赫) 對(duì)電介質(zhì)損耗大的材料(如木材、紙、陶瓷等)進(jìn)行加熱。頻率高于 300兆赫時(shí) ,達(dá)到微波波段 ,即為微波加熱( 家用微波爐即據(jù)此原理)。

          結(jié)論:

            總之,介質(zhì)損耗是介質(zhì)的電導(dǎo)和松弛極化引起的電導(dǎo)和極化過(guò)程中帶電質(zhì)點(diǎn)(弱束縛電子和弱聯(lián)系離子,并包括空穴和缺位)移動(dòng)時(shí),將它在電場(chǎng)中所吸收的能量部分地傳給周圍“分子",使電磁場(chǎng)能量轉(zhuǎn)變?yōu)椤胺肿?的熱振動(dòng),能量消耗在使電介質(zhì)發(fā)熱效應(yīng)上。 

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